快科技5月10日消息,三星半导体业务高管前几天表态要用5年时间赶超台积电,实现这个目标就离不开先进工艺,去年6月份三星就宣布全球首发3nm GAA工艺,日前该公司又推出了第二代3nm工艺,预计在2024年量产。
三星的3nm工艺很激进,相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守,三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术,而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管,被称为SF3E,也就是3GAE工艺。
这次宣布的是SF3工艺,也就是之前的3GAP高性能工艺,三星提到该工艺相比SF4(4nm LPP)工艺,在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%,或者功耗降低34%,面积缩小21%。
这个提升幅度很大,但是三星对比的是二代3nm与4nm,没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。
根据三星公布的路线图,SF3工艺预计在2024年量产,之后还会有增强版的SF3P,也就是3GAP+,2025年量产。
再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺,2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。
风险提示:根据央行等部门发布“关于进一步防范和处置虚拟货币交易炒作风险的通知”,本网站内容仅用于信息分享,不对任何经营与投资行为进行推广与背书,请读者严格遵守所在地区法律法规,不参与任何非法金融行为。本文收集整理自网络,不代表经典网立场,如若转载,请注明出处:https://www.jingdian230.com/qkl/46387.html
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Special statement: The above contents (including pictures or videos, if any) are uploaded and released by users of the we-media platform. This platform only provides information storage services.